%0 Journal Article
%T Conduction mechanism of ultra-thin gate oxide n-MOSFET after soft breakdown<br>超薄栅氧化层n-MOSFET软击穿后的导电机制
%A WANG Yan-gang
%A XU Ming-zhen
%A TAN Chang-hua
%A DUAN Xiao-rong
%A <br>王彦刚
%A 许铭真
%A 谭长华
%A 段小蓉
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 研究了恒压应力下超薄栅氧化层n型金属-氧化物-半导体场效应晶体管（n-MOSFET）软击穿 后的导电机制.发现在一定的栅电压Vg范围内，软击穿后的栅电流Ig符合Fowl er-Nordheim隧穿公式，但室温下隧穿势垒b的平均值仅为0936eV，远小于S i/Si O2界面的势垒高度315eV.研究表明，软击穿后，处于Si/SiO2界 面量子化能级上的 电子不隧穿到氧化层的导带，而是隧穿到氧化层内的缺陷带上.b与缺陷带能 级和电 子所处的量子能级相关；高温下，激发态电子对隧穿电流贡献的增大导致b逐 渐降低.
%K soft breakdown
%K gate current
%K Fowler-Nordheim-like tunneling
%K ultra-thin gate ox ide<br>软击穿
%K 栅电流
%K 类Fowler-Nordheim隧穿
%K 超薄栅氧化层
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=13ADF57D4864269A&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E472FBDE962FAF06&eid=5939D805A9B61D56&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=17