The improvement of thermal stability in NiSi film by adding Mo
掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善

报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明，经650— 800℃快速热 退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低，约为2．4(Ω／□).XRD分析表明薄膜中只存在 NiSi相，而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5．9 ％Mo对改善 Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650—800℃快速热退火后的 Ni(Mo)Si／Si肖特基 二极管电学特性良好，势垒高度ΦB为0．64—0．66eV，理想因子接近于1，更 进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性.