%0 Journal Article %T The improvement of thermal stability in NiSi film by adding Mo
掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善 %A Huang Wei %A Zhang Li-Chun %A Gao Yu-Zhi %A Jin Hai-Yan %A
黄伟 %A 张利春 %A 高玉芝 %A 金海岩 %J 物理学报 %D 2005 %I %X 报导了在镍薄膜中掺入少量Mo提高了镍硅化物的热稳定性.结果表明,经650— 800℃快速热 退火形成的Ni(Mo)Si硅化物薄膜电阻值较低,约为2.4(Ω/□).XRD分析表明薄膜中只存在 NiSi相,而没有NiSi2生成.由吉布斯自由能理论分析表明在Ni薄膜中掺人5.9 %Mo对改善 Ni硅化物热稳定性起到至关重要的作用.经650—800℃快速热退火后的 Ni(Mo)Si/Si肖特基 二极管电学特性良好,势垒高度ΦB为0.64—0.66eV,理想因子接近于1,更 进一步证明掺少量的Mo能够改善NiSi薄膜的热稳定性. %K Ni silicide %K rapid thermal annealing %K X-ray diffraction %K Rutherford backscattering spectrometry
镍硅化物, %K 快速热退火, %K x射线衍射分析, %K 卢瑟福背散射 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=8627AAD38B1D68D7&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=94C357A881DFC066&sid=4F82C471BB13578B&eid=C24DB66A44ADAAF0&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=7