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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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Boron-doped silicon nanowires grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition
等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
Zeng Xiang-Bo, Liao Xian-Bo, Wang Bo, Diao Hong-Wei, Dai Song-Tao, Xiang Xian-Bi, Chang Xiu-Lan, Xu Yan-Yue, Hu Zhi-Hua, Hao Hui-Ying, Kong Guang-Lin,
曾湘波, 廖显伯, 王 博, 刁宏伟, 戴松涛, 向贤碧, 常秀兰, 徐艳月, 胡志华, 郝会颖, 孔光临
Keywords: silicon nanowires,chemical vapor deposition,nano-devices
硅纳米线,化学气相沉积,纳米器件
Abstract:
用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 ,为研制纳米量级器件提供技术基础 Full-Text
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