%0 Journal Article
%T Boron-doped silicon nanowires grown by plasma-enhanced chemical vapor deposition<br>等离子体增强化学气相沉积法实现硅纳米线掺硼
%A Zeng Xiang-Bo
%A Liao Xian-Bo
%A Wang Bo
%A Diao Hong-Wei
%A Dai Song-Tao
%A Xiang Xian-Bi
%A Chang Xiu-Lan
%A Xu Yan-Yue
%A Hu Zhi-Hua
%A Hao Hui-Ying
%A Kong Guang-Lin
%A <br>曾湘波
%A 廖显伯
%A 王　博
%A 刁宏伟
%A 戴松涛
%A 向贤碧
%A 常秀兰
%A 徐艳月
%A 胡志华
%A 郝会颖
%A 孔光临
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 用等离子体增强化学气相沉积 (PECVD)方法成功实现硅纳米线的掺B .选用Si片作衬底 ,硅烷 (SiH4 )作硅源 ,硼烷 (B2 H6 )作掺杂气体 ,Au作催化剂 ,生长温度 4 4 0℃ .基于气 液 固 (VLS)机制 ,探讨了掺B硅纳米线可能的生长机制 .PECVD法化学成分配比更灵活 ,更容易实现纳米线掺杂 ,进一步有望生长硅纳米线pn结 ,为研制纳米量级器件提供技术基础
%K silicon nanowires
%K chemical vapor deposition
%K nano-devices<br>硅纳米线
%K 化学气相沉积
%K 纳米器件
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=915A50CC64D31742&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=59906B3B2830C2C5&sid=46C3DC8473C741DE&eid=24A5EDEF16B17C9F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=3&reference_num=13