Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy
分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究

Keywords: 分子束外延，,量子阱，,二型发光

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Abstract:

报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构 为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.

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