%0 Journal Article
%T Photoluminescence study of (GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/GaAs bilayer quantum well grown by molecular beam epitaxy<br>分子束外延生长的(GaAs1－xSbx/InyGa1－yAs)/GaAs量子阱光致发光谱研究
%A Xu Xiao-Hu
%A Niu Zhi-Chuan
%A Ni Hai-Qiao
%A Xu Ying-Qiang
%A Zhang Wei
%A He Zheng-Hong
%A Han Qin
%A Wu Rong-Han
%A Jiang De-Sheng
%A <br>徐晓华
%A 牛智川
%A 倪海桥
%A 徐应强
%A 张 纬
%A 贺正宏
%A 韩 勤
%A 吴荣汉
%A 江德生
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 报道了(GaAs1-xSbx/InyGa1-yAs)/Ga As量子阱结构的分子束外延生长与光致发光谱研究结果.变温与变激发功率光致发光谱的研究表明了此结构 为二型量子阱发光性质.讨论了光谱双峰结构的跃迁机制.通过优化生长条件，获得了室温1 31μm发光.
%K 分子束外延，
%K 量子阱，
%K 二型发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=91ED646E2F5C0A98&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=B31275AF3241DB2D&sid=7D33EEDEE08FED67&eid=2E795B354B8A4EF4&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=9