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物理学报 2004
Prediction of failure time for floating gate ROM devices at low dose rate in space radiation environment
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Abstract:
利用6 0 Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路 (AT2 9C2 5 6 )总剂量辐照实验 ,研究了集成电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应 ;按照定义的失效标准和外推实验技术 ,探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系 ;根据失效时间与辐射剂量率的函数关系 ,预估了浮栅ROM集成电路AT2 9C2 5 6 (991 1 )和AT2 9C2 5 6 (9939)空间低剂量率辐射失效时间
