%0 Journal Article
%T Prediction of failure time for floating gate ROM devices at low dose rate in space radiation environment<br>浮栅ROM集成电路空间低剂量率辐射失效时间预估
%A He Bao-Ping
%A Guo Hong-Xi
%A Gong Jian-Cheng
%A Wang Gui-Zhen
%A Luo Yin-Hong
%A Li Yong-Hong
%A <br>何宝平
%A 郭红霞
%A 龚建成
%A 王桂珍
%A 罗尹虹
%A 李永宏
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 利用6 0 Coγ射线开展了浮栅ROM集成电路 (AT2 9C2 5 6 )总剂量辐照实验 ,研究了集成电路功耗电流和出错数在不同剂量率下的辐射响应 ;按照定义的失效标准和外推实验技术 ,探索了集成电路参数失效与功能失效时间随辐射剂量率的变化关系 ;根据失效时间与辐射剂量率的函数关系 ,预估了浮栅ROM集成电路AT2 9C2 5 6 (991 1 )和AT2 9C2 5 6 (9939)空间低剂量率辐射失效时间
%K low dose rate
%K radiation damage
%K failure time
%K total dose<br>低剂量率
%K 辐射损伤
%K 失效时间
%K 总剂量
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=BB39FD4EAD00D16C&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=9CF7A0430CBB2DFD&sid=3B4BF8D06704D13B&eid=782FE8375C29843D&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=8