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物理学报 2002
在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格Keywords: 扫描隧道显微镜(STM),Si(111)-(7×7)表面,二维Ge团簇超晶格 Abstract: 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论
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