%0 Journal Article %T 在Si(111)-(7×7)表面自组织生长二维Ge团簇超晶格 %A 闫隆 %A 张永平 %A 彭毅萍 %A 庞世谨 %A 高鸿钧 %J 物理学报 %D 2002 %I %X 利用超高真空扫描隧道显微镜研究了室温条件下亚单层Ge在Si(111)(7×7)表面上的自组织生长.通过控制Ge的沉积量,在Si(111)(7×7)表面上自组织生长成一种具有六重对称性的二维Ge团簇超晶格.构成超晶格的Ge团簇均位于(7×7)亚单胞的位置上,而且它们的形状和大小基本保持一致.文中对这种自组织结构的形成机理进行了讨论 %K 扫描隧道显微镜(STM) %K Si(111)-(7×7)表面 %K 二维Ge团簇超晶格 %U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6868ECE47844B5D159EE1666656AC5A1&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=94C357A881DFC066&sid=5E7C14876566242F&eid=5D5B6851F9BAEE73&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0