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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2005 

Effect of the insulating layer on the differential conductance in the normal metal/insulator/s-wave superconductor tunnel junctions
正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响

Keywords: NIS junctions,square-potential barrier,differential conductance
NIS结,方势垒,微分电导

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Abstract:

在正常金属/绝缘层/s波超导隧道结(NIS结)中,以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响,运用Bogoliubov_de Gennes(BdG)方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论,计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势,其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ 0/e的偏压值,电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关,显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱.

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