%0 Journal Article
%T Effect of the insulating layer on the differential conductance in the normal metal/insulator/s-wave superconductor tunnel junctions<br>正常金属/绝缘层/s波超导隧道结中绝缘层对微分电导的影响
%A Wei Jian-Wen
%A Dong Zheng-Chao
%A <br>魏健文
%A 董正超
%J 物理学报
%D 2005
%I 
%X 在正常金属／绝缘层／s波超导隧道结（NIS结）中，以方势垒描述绝缘层对准粒子输运的影 响，运用Bogoliubov_de Gennes（BdG）方程、Blonder_Tinkham_Klapwijk(BTK)理论，计算 了NIS隧道结中的准粒子输运系数和微分电导.研究表明,微分电导随绝缘层厚度的变化呈振 荡和衰减两种趋势，其振荡的周期和衰减的快慢均强烈地依赖于绝缘层的势垒值以及V=Δ 0/e的偏压值，电导峰的高低及峰的位置与绝缘层厚度密切相关，显示了比δ势 描述更为丰富多彩的隧道谱.
%K NIS junctions
%K square-potential barrier
%K differential conductance<br>NIS结，方势垒，微分电导
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=F3B0F85B264374BF&yid=2DD7160C83D0ACED&vid=318E4CC20AED4940&iid=94C357A881DFC066&sid=EF308170A8531344&eid=F728FC2D3A6F8DAF&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=14