Effect of C=C content on I-V characteristics of fluorinated amorphous carbon thin films
C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响

研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的电学性质．发现对于不同C-Fx含量的薄膜，C==C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响．薄膜的直流I-V，特性呈现I=aV bV规律，是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程．由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关，而a-C：F薄膜中C==C的含量决定带尾态密度的分布，因此a-C：F薄膜在高场下的空问电荷限流是由薄膜中C==C决定的导电过程．