%0 Journal Article
%T Effect of C=C content on I-V characteristics of fluorinated amorphous carbon thin films<br>C=C双键对氟化非晶碳薄膜I-V特性的影响
%A 叶超
%A 宁兆元
%A 程珊华
%A 辛煜
%A 许圣华
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 研究了电子回旋共振等离子体技术沉积的氟化非晶碳(a-C：F)薄膜的电学性质．发现对于不同C-Fx含量的薄膜，C==C含量的增大对薄膜的导电行为具有不同的影响．薄膜的直流I-V，特性呈现I=aV bV规律，是低场强区的欧姆导电和高场强区的空间电荷限流(SCLC)组成的导电过程．由于非晶材料的空间电荷限流与带尾态密度的分布密切相关，而a-C：F薄膜中C==C的含量决定带尾态密度的分布，因此a-C：F薄膜在高场下的空问电荷限流是由薄膜中C==C决定的导电过程．
%K 氟化非晶碳薄膜
%K 直流伏安特性
%K 电子回旋共振等离子体技术
%K 碳=碳双键
%K 空间电荷限流
%K 带尾态密度
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=CD181FF98C0E5B5A&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=94C357A881DFC066&sid=592CC3414B588215&eid=4C25EB18BC5AA509&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=20