A physical-based percolation model for gate oxide TDDB
栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型

在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上，提出了氧化层击穿的逾渗模型.认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累，并最终形成电导逾渗通路的结果.指出在电场作用下，氧化层中产生深能级缺陷，缺陷形成定域态，定域态的体积与外加电场有关.随着应力时间的增长，氧化层中的缺陷浓度增大，定域态之间的距离缩小.当定域态之间的距离缩小到一个阈值时，定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路，形成扩展态能级，漏电流开始急剧增大，氧化层击穿.