%0 Journal Article
%T A physical-based percolation model for gate oxide TDDB<br>栅氧化层介质经时击穿的逾渗模型
%A Ma Zhong-F
%A Zhuang Yi-Qi
%A Du Lei
%A Bao Jun-Lin
%A Li Wei-Hua
%A <br>马仲发
%A 庄奕琪
%A 杜 磊
%A 包军林
%A 李伟华
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 在研究了MOSFET栅氧化层介质经时击穿物理机制的基础上，提出了氧化层击穿的逾渗模型.认为氧化层的击穿是E′心和氧空位等深能级缺陷产生与积累，并最终形成电导逾渗通路的结果.指出在电场作用下，氧化层中产生深能级缺陷，缺陷形成定域态，定域态的体积与外加电场有关.随着应力时间的增长，氧化层中的缺陷浓度增大，定域态之间的距离缩小.当定域态之间的距离缩小到一个阈值时，定域态之间通过相互交叠形成逾渗通路，形成扩展态能级，漏电流开始急剧增大，氧化层击穿.
%K gate oxide
%K TDDB
%K percolation
%K model<br>栅氧化层，
%K TDDB，
%K 逾渗，
%K 模型
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=685290FC3CAD6940&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=286FB2D22CF8D013&iid=5D311CA918CA9A03&sid=549638E6695045E9&eid=5AE24134D11ADFE8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=2&reference_num=19