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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2003 

Trapping effect modeling for SiC power MESFETs
SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型

Keywords: silicon carbide,trapping effect,MESFET,deep level trap,interface state
碳化硅，,陷阱效应，,金属-半导体场效应晶体管，,深能级陷阱，,界面态

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Abstract:

针对4H-SiC射频大功率MESFET，建立了一个解析的陷阱效应模型，该模型采用简化参数描述方法，并结合自热效应分析，从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型，且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.

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