%0 Journal Article
%T Trapping effect modeling for SiC power MESFETs<br>SiC功率金属-半导体场效应管的陷阱效应模型
%A Yang Lin-An
%A Zhang Yi-Men
%A Yu Chun-Li
%A Zhang Yu-Ming
%A <br>杨林安
%A 张义门
%A 于春利
%A 张玉明
%J 物理学报
%D 2003
%I 
%X 针对4H-SiC射频大功率MESFET，建立了一个解析的陷阱效应模型，该模型采用简化参数描述方法，并结合自热效应分析，从理论上完善了SiC MESFET大信号直流I-V特性的解析模型，且避免了数值方法模拟陷阱效应的巨大计算量.
%K silicon carbide
%K trapping effect
%K MESFET
%K deep level trap
%K interface state<br>碳化硅，
%K 陷阱效应，
%K 金属-半导体场效应晶体管，
%K 深能级陷阱，
%K 界面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=78500032A65F2424&yid=D43C4A19B2EE3C0A&vid=286FB2D22CF8D013&iid=0B39A22176CE99FB&sid=119B6C0AA09DE6B9&eid=31BCE06A2FD82A16&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=1&reference_num=10