β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究

以SF6和SF6+O2为刻蚀气体，采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除.实验指出当气体混合比约为40%时，刻蚀速率达到最大值.俄歇能谱分析表明，在SF6和SF6+O2气体中被刻蚀后的样品没有形成富C表面的SiC层.研究结果为各种SiC器件的研制奠定了必要的实验基础.