%0 Journal Article
%T β-SiC薄膜在SF6和SF6+O2中的等离子体刻蚀研究
%A 柴常春
%A 杨银堂
%A 李跃进
%A 贾护军
%A 姬慧莲
%J 物理学报
%D 1999
%I 
%X 以SF6和SF6+O2为刻蚀气体，采用等离子体刻蚀工艺成功地对化学气相淀积工艺制备的β-SiC单晶薄膜进行了有效的刻蚀去除.实验指出当气体混合比约为40%时，刻蚀速率达到最大值.俄歇能谱分析表明，在SF6和SF6+O2气体中被刻蚀后的样品没有形成富C表面的SiC层.研究结果为各种SiC器件的研制奠定了必要的实验基础.
%K 等离子体刻蚀
%K 薄膜
%K 碳化硅
%K 氟化硫
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=52C3612222CD817DA9E9C97DB978ED21&yid=B914830F5B1D1078&vid=B6DA1AC076E37400&iid=38B194292C032A66&sid=64808317C39DF331&eid=AF4A4411BB448A36&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=1