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ISSN: 2333-9721
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Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface
Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长

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Abstract:

用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.

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Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surfaceSi(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长