%0 Journal Article
%T Self-assembled growth of Ge quantum dots on Si(111)-(7×7) surface<br>Si(111)-(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长
%A Zhang Yong-Peng
%A Yan Long
%A Xie Si-Shen
%A Pang Shi-Jin
%A Gao Hong-Jun
%A <br>张永平
%A 闫隆
%A 解思深
%A 庞世谨
%A 高鸿钧
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 用扫描隧道显微镜研究了Si(111)(7×7)表面上Ge量子点的自组织生长.室温下用固相外延法在硅基底上沉积亚单层的Ge,然后在适当的温度下退火可以聚集形成有序的Ge量子点.由于Ge在Si(111)(7×7)表面选择性的吸附而形成有序的Ge量子点.
%K germanium
%K silicon
%K scanning tunneling microscopy (STM)
%K self-assembling<br>锗
%K 硅
%K 扫描隧道显微镜
%K 自组织生长
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=B77D404EAA533A85&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D0182A31A5EB14BA&eid=BF112261B65CB9C9&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=12