PHOTOLUMINESCENCE OF Er IN SiOx
掺铒SiOx的光致发光特性
WAN JUN,
SHENG CHI,
LU FANG,
GONG DA-WEI,
FAN YONG-LIANG,
LIN FENG,
WANG XUN,
万 钧,
盛 篪,
陆 肪,
龚大卫,
樊永良,
林 峰,
王 迅
Keywords: 半导体,光致发光特性,氧化硅,掺饵,硅基发光
Abstract:
利用分子束外延设备生长了掺铒SiOx,观察到铒掺入的同时O的掺入效率也得到提高.铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度.测量了铒在SiOx中的光致发光特性，结果表明掺铒的SiOx的发光强度从18K到300K仅下降了约1/2，这说明Er掺在SiOx中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制.
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