%0 Journal Article
%T PHOTOLUMINESCENCE OF Er IN SiOx<br>掺铒SiOx的光致发光特性
%A WAN JUN
%A SHENG CHI
%A LU FANG
%A GONG DA-WEI
%A FAN YONG-LIANG
%A LIN FENG
%A WANG XUN
%A <br>万 钧
%A 盛 篪
%A 陆 肪
%A 龚大卫
%A 樊永良
%A 林 峰
%A 王 迅
%J 物理学报
%D 1998
%I 
%X 利用分子束外延设备生长了掺铒SiOx,观察到铒掺入的同时O的掺入效率也得到提高.铒可以促进氧的掺入的原因是铒与氧在硅衬底表面反应，以络合物形式掺入硅中，从而提高了硅中氧的浓度.测量了铒在SiOx中的光致发光特性，结果表明掺铒的SiOx的发光强度从18K到300K仅下降了约1/2，这说明Er掺在SiOx中是一种降低发光强度的温度淬灭效应的途径，最后讨论了温度淬灭的机制.
%K 半导体
%K 光致发光特性
%K 氧化硅
%K 掺饵
%K 硅基发光
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=478BD5F0F36565A6874F1E28B066922A&yid=8CAA3A429E3EA654&vid=F4B561950EE1D31A&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=661BC7188EA165E8&eid=B1137ED3DAF51F96&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=5