Characterization of Mg-doped GaN
SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究

利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小 ,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹 ;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主 )复合引起 ,其中D为MgGaVN ,A为MgGa.