%0 Journal Article
%T Characterization of Mg-doped GaN<br>SiC衬底上外延GaN:Mg材料特性研究
%A Feng Qian
%A Hao Yue
%A Zhang Xiao-Ju
%A Liu Yu-Long
%A <br>冯　倩
%A 郝　跃
%A 张晓菊
%A 刘玉龙
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 利用扫描电子显微镜、拉曼散射光谱和光致发光谱对在SiC衬底上采用MOCVD异质外延的GaN :Mg薄膜特性进行研究发现 :除了一部分Mg原子替代Ga原子呈现受主性外 ,大部分Mg原子以间隙原子状态 (Mgi)存在 ,并且在缺陷或者位错处大量聚集引起薄膜张力应力减小 ,薄膜在降温过程中由于应力不均匀会在部分区域内出现大量的裂纹 ;Mg的掺杂会加剧GaN无序化程度 ,致使薄膜质量变差 ;而室温下的PL谱测量表明蓝带发光由DAP(深施主—浅受主 )复合引起 ,其中D为MgGaVN ,A为MgGa.
%K GaN∶Mg
%K 异质外延
%K 扫描电子显微镜
%K 拉曼散射
%K 光致发光谱
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=93D1BC21566639D4&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=C824C8F9F54AE9B9&eid=039DCCB9394D9766&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=16