FABRICATION AND STUDY OF PHOSPHOR DOPED HYDROGENATED NANO-CRYSTALLINE SILICON FILM
磷掺杂纳米硅薄膜的研制

用PECVD薄膜沉积方法，成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析，确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小，一般在25—45nm之间，且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数，光学带隙在173—178eV之间，和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1