%0 Journal Article
%T FABRICATION AND STUDY OF PHOSPHOR DOPED HYDROGENATED NANO-CRYSTALLINE SILICON FILM<br>磷掺杂纳米硅薄膜的研制
%A LIU MING
%A WANG ZI-OU
%A XI ZHONG-HE
%A HE YU-LIANG
%A <br>刘 明
%A 王子欧
%A 奚中和
%A 何宇亮
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 用PECVD薄膜沉积方法，成功地制备了磷掺杂纳米硅(nc-Si:H(P))薄膜.用扫描隧道电镜(STM)、Raman散射、傅里叶变换红外吸收(FTIR)谱、电子自旋共振(ESR)、共振核反应(RNR)技术对掺磷纳米硅进行了结构分析，确认了样品的微结构为纳米相结构.掺磷后膜中纳米晶粒的平均尺寸d减小，一般在25—45nm之间，且排列更加有序.掺磷nc-Si:H膜具有较高的光吸收系数，光学带隙在173—178eV之间，和本征nc-Si:H相同.掺杂nc-Si:H薄膜电导率在10-1
%K 磷掺杂纳米硅
%K 薄膜
%K PECVD
%K STM
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=47CCBE99C69FAD7D02E5BE15893671B6&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=94C357A881DFC066&sid=88B4027FEBE4F5FF&eid=BB44F42BE8AE7430&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=7&reference_num=13