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ISSN: 2333-9721
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物理学报  2001 

THE TRANSITION FROM Eu3+TO Eu2+ IN SiO2(Eu) THIN FILMS PREPARED BY ION IMPLANTATION AND CO-SPUTTERING
共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变

Keywords: SiO2(Eu) films,XANES
SiO2(Eu)薄膜
,XANES

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Abstract:

采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变.SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论

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