%0 Journal Article
%T THE TRANSITION FROM Eu3+TO Eu2+ IN SiO2(Eu) THIN FILMS PREPARED BY ION IMPLANTATION AND CO-SPUTTERING<br>共溅射和离子注入制备的SiO2(Eu)薄膜中Eu3+到Eu2+的转变
%A LIU FENG-ZHEN
%A ZHU MEI-FANG
%A LIU TAO
%A LI BING-CHENG
%A <br>刘丰珍
%A 朱美芳
%A 刘涛
%A 李秉程
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 采用共溅射方法和Eu离子注入热生长的SiO2方法得到SiO2(Eu)薄膜,Eu离子的浓度为4%和0.5%.对样品X射线吸收近边结构(XANES)的研究和分析表明,在高温氮气中发生了Eu3+向Eu2+的转变.SiO2(Eu)薄膜高温氮气退火下蓝光的发射证明了这一结论
%K SiO2(Eu) films
%K XANES<br>SiO2(Eu)薄膜
%K XANES
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=38EA5567E236F51B&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=38B194292C032A66&sid=640CCB6E396307A8&eid=A726E84831FE609B&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=11