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物理学报 2004
The change of photo-induced resistivity properties in La2/3Ca1/3MnO3 thin films
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Abstract:
射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K（近似为电阻峰值温度Tp）；在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段（Tc）表现为光致电阻率增大效应，即ΔR/R＞0，并在R-T曲线拐点附近取得极大值，（ΔR/R）max=43.5%；当T>T
