%0 Journal Article
%T The change of photo-induced resistivity properties in La2/3Ca1/3MnO3 thin films<br>La2/3Ca1/3MnO3薄膜的光致电阻率变化特性
%A Wang Shi-Lin
%A Chen Chang-Le
%A Wang Yue-Long
%A Jin Ke-Xin
%A Wang Yong-Cang
%A Ren Ren
%A Song Zhou-Mo
%A Yuan Xiao
%A <br>汪世林
%A 陈长乐
%A 王跃龙
%A 金克新
%A 王永仓
%A 任　韧
%A 宋宙模
%A 袁　孝
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 射频磁控溅射法制备了La2/3Ca1/3MnO3纳米薄膜(LCMO).该薄膜发生FM-PM相变的转变点温度为Tc≈308K（近似为电阻峰值温度Tp）；在不同温度下的光电导性质实验表明所制备的LCMO薄膜在连续激光作用时低温段（Tc）表现为光致电阻率增大效应，即ΔR/R＞0，并在R-T曲线拐点附近取得极大值，（ΔR/R）max=43.5%；当T>T
%K perovskite thin film
%K photoinduced
%K electron spin
%K small polaron<br>钙钛矿薄膜，
%K 光响应，
%K 电子自旋，
%K 小极化子
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=BC88A3C080D7F957&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=D5970ECA7D10A7B1&eid=E543FC2C7CA75C74&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=5&reference_num=13