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物理学报 2004
Aluminum-induced rapid crystallization of a-Si films at low temperatures in an electric field and microstructure analyses of the crystallized films
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Abstract:
铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间,是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上,通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散,实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明,外加电场,退火温度为400℃,退火时间为60min时,薄膜的晶化率大于60%;退火温度为450℃退火时间为30min时,薄膜已经呈现明显的晶化现象;退火温度为500℃退火时间为15min时,薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3—4倍.