%0 Journal Article
%T Aluminum-induced rapid crystallization of a-Si films at low temperatures in an electric field and microstructure analyses of the crystallized films<br>铝诱导非晶硅薄膜的场致低温快速晶化及其结构表征
%A Chen Yi-Kuang
%A Lin Kui-Xun
%A Luo Zhi
%A Liang Rui-Sheng
%A Zhou Fu-Fang
%A <br>陈一匡
%A 林揆训
%A 罗　志
%A 梁锐生
%A 周甫方
%J 物理学报
%D 2004
%I 
%X 铝诱导非晶硅薄膜晶化可以降低退火温度、缩短退火时间，是制备多晶硅薄膜的一种重要方法.在此基础上，通过在退火过程中加入电场加速了界面处硅、铝原子间的互扩散，实现了非晶硅薄膜的快速低温晶化.实验结果表明，外加电场，退火温度为400℃，退火时间为60min时，薄膜的晶化率大于60％；退火温度为450℃退火时间为30min时，薄膜已经呈现明显的晶化现象；退火温度为500℃退火时间为15min时，薄膜的x射线多晶峰强度与非晶峰强度之比为未加电场的3—4倍.
%K amorphous silicon film
%K polycrystalline silicon film
%K electric field<br>非晶硅薄膜
%K 多晶硅薄膜
%K 外加电场
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=DFBF15AB45A7CBFE&yid=D0E58B75BFD8E51C&vid=8E6AB9C3EBAAE921&iid=0B39A22176CE99FB&sid=90773C2285A2F0BB&eid=CD26609C367AC9C8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=14&reference_num=14