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OALib Journal期刊
ISSN: 2333-9721
费用：99美元
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RADIATION EFFECTS OF MOS DEVICE AT LOW DOSE RATE AND LOW TEMPERATURE
低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应
ZHANG TING-QING, LIU CHUAN-YANG, LIU JIA-LU, WANG JIAN-PING, HUANG ZHI, XU NA-JUN, HE BAO-PING, PENG HONG-LUN, YAO YU-JUAN,
张廷庆, 刘传洋, 刘家璐, 王剑屏, 黄智, 徐娜军, 何宝平, 彭宏论, 姚育娟
Keywords: radiation effects,threshold voltage shift,low dose rate,low temperature,interface trap
辐照效应,阈值电压漂移,低剂量率,低温,界面态
Abstract:
对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长 Full-Text
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