%0 Journal Article
%T RADIATION EFFECTS OF MOS DEVICE AT LOW DOSE RATE AND LOW TEMPERATURE<br>低温低剂量率下金属-氧化物-半导体器件的辐照效应
%A ZHANG TING-QING
%A LIU CHUAN-YANG
%A LIU JIA-LU
%A WANG JIAN-PING
%A HUANG ZHI
%A XU NA-JUN
%A HE BAO-PING
%A PENG HONG-LUN
%A YAO YU-JUAN
%A <br>张廷庆
%A 刘传洋
%A 刘家璐
%A 王剑屏
%A 黄智
%A 徐娜军
%A 何宝平
%A 彭宏论
%A 姚育娟
%J 物理学报
%D 2001
%I 
%X 对金属氧化物半导体(MOS)器件在低剂量率γ射线辐照条件下的剂量率效应以及温度效应进行了研究.对不同剂量率、不同温度辐照后MOS器件的阈值电压漂移进行了比较.结果表明,低剂量率辐照下,感生界面态要受到辐照时间的长短以及生成的氢离子数目的影响,辐照时间越长,生成的氢离子越多,感生界面态密度越大;温度对界面态的影响与界面态建立的时间有关,低温辐照时,界面态建立的时间要加长
%K radiation effects
%K threshold voltage shift
%K low dose rate
%K low temperature
%K interface trap<br>辐照效应
%K 阈值电压漂移
%K 低剂量率
%K 低温
%K 界面态
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=D62B07C1BB8D8245&yid=14E7EF987E4155E6&vid=771152D1ADC1C0EB&iid=59906B3B2830C2C5&sid=E577404EAE1FC565&eid=7C5AA2DCD3DDFC69&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=11