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物理学报 1999
THE EFFECT OF ATOMIC OF HYDROGEN IN THE INITIAL PROCEDURE OF DIAMOND HETEROEPITAXY ON Si AND THE INTERFACE BETWEEN DIAMOND AND Si
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Abstract:
用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子H与被C2H2吸附的Si(100)界面的相互作用.结果显示,在Si(100)界面上,Si—Si二聚化键和C2H2中的C—C键被H原子打开,它们分别形成Si—H,C—H键.用AM1量子化学方法,计算了C2H2和C2H4在Si(100)上的吸附结构,指出了C2H2