%0 Journal Article
%T THE EFFECT OF ATOMIC OF HYDROGEN IN THE INITIAL PROCEDURE OF DIAMOND HETEROEPITAXY ON Si AND THE INTERFACE BETWEEN DIAMOND AND Si<br>Si衬底上异质外延金刚石的初始阶段原子H的作用及其界面结构
%A KANG JIAN
%A XIAO CHANG-YONG
%A XIONG YAN-YUN
%A FENG KE-AN
%A LIN ZHANG-DA
%A <br>康 健
%A 肖长永
%A 熊艳云
%A 冯克安
%A 林彰达
%J 物理学报
%D 1999
%I 
%X 用高分辨率电子能量损失谱方法研究了原子H与被C2H2吸附的Si(100)界面的相互作用.结果显示，在Si(100)界面上，Si—Si二聚化键和C2H2中的C—C键被H原子打开，它们分别形成Si—H，C—H键.用AM1量子化学方法，计算了C2H2和C2H4在Si(100)上的吸附结构，指出了C2H2
%K 金刚石
%K 单晶膜
%K 硅衬底
%K 原子氢
%K 界面结构
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=52C3612222CD817DFB21D39AE9C2039C&yid=B914830F5B1D1078&vid=B6DA1AC076E37400&iid=708DD6B15D2464E8&sid=1BF0B9E7EC703940&eid=937C40E5E983B5E8&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=4