BAND STRUCTURE OF Si/Ge STRAINED LAYER SUPERLATTICE
形变超晶格Si/Ge的能带结构

用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)n/(Ge)m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)6/(Ge)4和(Si)8/(Ge)2超晶格在Si1-xG