%0 Journal Article
%T BAND STRUCTURE OF Si/Ge STRAINED LAYER SUPERLATTICE<br>形变超晶格Si/Ge的能带结构
%A QIAO HAO
%A ZI JIAN
%A XU ZHI-ZHONG
%A ZHANG KAI-MING
%A <br>乔皓
%A 资剑
%A 徐至中
%A 张开明
%J 物理学报
%D 1993
%I 
%X 用经验的紧束缚方法对短周期的(Si)n/(Ge)m形变超晶格的电子态进行了计算。结果表明,由于布里渊区折迭的要求,只有当n+m=10时超晶格才可能产生直接能隙。对周期为n+m=10的超晶格,Γ,N,△处的导带谷间的相对位置对直接能隙的形成具有决定作用,而n的大小与衬底的组分对此有极大影响。(Si)6/(Ge)4和(Si)8/(Ge)2超晶格在Si1-xG
%K 超晶格半导体
%K 能带结构
%K 能隙
%K 硅／锗
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=0C0CF9219C4D2C804A7A6590BFE00578&yid=D418FDC97F7C2EBA&vid=ECE8E54D6034F642&iid=5D311CA918CA9A03&sid=E62D9AFED5C50734&eid=9F0564033BABD14F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=3