Monte Carlo simulation of epitaxial growth in ultra-thin films
超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟

用MonteCarlo模拟（MC）方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟。模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用，考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程。研究了粒子间相互作用范围a和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响。结果表明：在不同的a值下，随粒子行走数的增加，薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程；其中a＝6时，基本观察不到粒子的分散生长过程；a值越小且粒子街步数越小的情况下，薄膜越易趋向于分散生长。