%0 Journal Article
%T Monte Carlo simulation of epitaxial growth in ultra-thin films<br>超薄膜外延生长的Monte Carlo模拟
%A Ye Jian-Song
%A Hu Xiao-Jun
%A <br>叶健松
%A 胡晓君
%J 物理学报
%D 2002
%I 
%X 用MonteCarlo模拟（MC）方法对超薄膜外延生长过程进行了计算机模拟。模型中引入Morse势描述粒子间的相互作用，考虑粒子的沉积、吸附粒子的扩散和蒸发三个过程。研究了粒子间相互作用范围a和允许粒子行走的最大步数对薄膜生长形貌的影响。结果表明：在不同的a值下，随粒子行走数的增加，薄膜的生长经历了从分散、分形、混合到团聚的过程；其中a＝6时，基本观察不到粒子的分散生长过程；a值越小且粒子街步数越小的情况下，薄膜越易趋向于分散生长。
%K ultra-thin films
%K Monte-Carlo method
%K expitaxy growth
%K Morse potential
%K fractal<br>超薄膜
%K 外延生长
%K Morse势
%K 分形
%K MonteCarlo模拟
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=6200FE9BEB934866&yid=C3ACC247184A22C1&vid=987EDA49D8A7A635&iid=94C357A881DFC066&sid=B3BA5701971F4D8F&eid=1AA557EFF1C6B447&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=7&reference_num=14