THE TEST DETERMINATION FOR THE MOST NARROW BAND-GaP OF InGaAsP/InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BULK MATERIALS
InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定

Keywords: InGaAs,InGaAsP,InP,异质结构体材料,最窄能带隙

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Abstract:

报道了几种典型的光压谱（ＰＶＳ）和光荧光谱（ＰＬＳ）；比较了ＰＶＳ中吸收边Ｅｕ和ＰＬＳ中峰能值Ｅｐ的关系；分析指出最窄能带隙Ｅｇ＝Ｅｐ－１／２ＫＴ＝Ｅａ；理论分析和实验结果一致，讨论了异质材料多重结的ＰＶＳ问题。

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