%0 Journal Article
%T THE TEST DETERMINATION FOR THE MOST NARROW BAND-GaP OF InGaAsP/InGaAs/InP HETEROSTRUCTURE BULK MATERIALS<br>InGaAs/InGaAsP/InP等异质结构体材料最窄能带隙的实验确定
%A DING GUO-QING
%A <br>丁国庆
%J 物理学报
%D 2000
%I 
%X 报道了几种典型的光压谱（ＰＶＳ）和光荧光谱（ＰＬＳ）；比较了ＰＶＳ中吸收边Ｅｕ和ＰＬＳ中峰能值Ｅｐ的关系；分析指出最窄能带隙Ｅｇ＝Ｅｐ－１／２ＫＴ＝Ｅａ；理论分析和实验结果一致，讨论了异质材料多重结的ＰＶＳ问题。
%K InGaAs
%K InGaAsP
%K InP
%K 异质结构体材料
%K 最窄能带隙
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=74C9781B29F7986A7D6B5E031B28E943&yid=9806D0D4EAA9BED3&vid=2A3781E88AB1776F&iid=CA4FD0336C81A37A&sid=EFD65B51496FB200&eid=AE09EACBCD1B2A13&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=2