OPTIMIZATION OF Tc IN EPITAXIAL GdBaCuO SUPERCONDUCTING THIN FILM BY INVERTED CYLINDRICAL SPUTTERING
GdBaCuO超导薄膜Tc值的优化实验研究

用倒筒式直流磁控溅射装置在LaAlO3单晶基片上原位沉积了GdBaCuO（GBCO）薄膜．系统调查了GBCO薄膜的超导性质与溅射温度Ts、溅射压力和靶组成的变化规律，发现在720—820℃较宽的基片温度范围、在较低的溅射气压（40Pa）、较高的溅射速率（0.03nm/s）下均可制备出Tc0＞92K，（005）峰摇摆曲线半高宽不大于0.2、膜面非常光滑且具有良好外延特性的c轴嵌镶单晶薄膜．在最佳条件下（Ts=820℃，气