|
物理学报 1997
INVESTIGATION OF GROWTH MECHANISM OF NANOCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS PREPARED BY HOT-FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION
|
Abstract:
用热丝法制备了纳米晶硅薄膜.通过Raman散射谱及X射线谱,系统地研究了沉积气压Pg、高H2稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成和结构等的影响.计算了沉积过程中的温度场分布.讨论了沉积过程中反应基元的输运和相关的气相反应,以及H在薄膜生长中的作用,由此分析了沉积参量对薄膜结构的影响,得到了与实验相一致的结果.