%0 Journal Article
%T INVESTIGATION OF GROWTH MECHANISM OF NANOCRYSTALLINE SILICON THIN FILMS PREPARED BY HOT-FILAMENT CHEMICAL VAPOR DEPOSITION<br>热丝法制备纳米晶硅薄膜结构及沉积机制的研究
%A CHEN GUO
%A GUO XIAO-XU
%A ZHU MEI-FANG
%A SUN JING-LAN
%A XU HUAI-ZHE
%A HAN YI-QIN
%A <br>陈国
%A 郭晓旭
%A 朱美芳
%A 孙景兰
%A 许怀哲
%A 韩一琴
%J 物理学报
%D 1997
%I 
%X 用热丝法制备了纳米晶硅薄膜．通过Raman散射谱及X射线谱，系统地研究了沉积气压Pg、高H2稀释及衬底与钨丝之间距离对沉积速率、纳米硅薄膜的形成和结构等的影响．计算了沉积过程中的温度场分布．讨论了沉积过程中反应基元的输运和相关的气相反应，以及H在薄膜生长中的作用，由此分析了沉积参量对薄膜结构的影响，得到了与实验相一致的结果．
%K 热丝法
%K 纳米晶
%K 硅
%K 薄膜结构
%K 沉积
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=59DCF672634DFB415243586768D6B2A2&yid=5370399DC954B911&vid=D997634CFE9B6321&iid=F3090AE9B60B7ED1&sid=FFD10F7019FAA9EC&eid=885CEFEC57DA488F&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=4&reference_num=2