HALF WAVELENGTH AND STOPPING POWER FOR PLANAR CHANNELED 4He+ IONS IN Al AND Si CRYSTALS
4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领

采用高分辨探测系统,在不同的入射角θin和出射角θout的条件下,测量了1—2MeV4He+入射在Al(100)面和Si(110),(100)面中的背散射能谱。得到了背散射能谱振荡峰的间距ΔE与cosθin/cosθout的直线关系,从而获得了1—2MeV4He+在这三个晶面中的振荡半波长及阻止本领。实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致,晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。