%0 Journal Article
%T HALF WAVELENGTH AND STOPPING POWER FOR PLANAR CHANNELED 4He+ IONS IN Al AND Si CRYSTALS<br>4He+在Al和Si单晶晶面沟道中的半波长及阻止本领
%A JIN WEI-GUO
%A ZHAO GUO-QING
%A <br>金卫国
%A 赵国庆
%J 物理学报
%D 1988
%I 
%X 采用高分辨探测系统,在不同的入射角θin和出射角θout的条件下,测量了1—2MeV4He+入射在Al(100)面和Si(110),(100)面中的背散射能谱。得到了背散射能谱振荡峰的间距ΔE与cosθin/cosθout的直线关系,从而获得了1—2MeV4He+在这三个晶面中的振荡半波长及阻止本领。实验得到的半波长与理论计算值在误差范围内一致,晶面沟道方向的阻止本领略大于随机方向的阻止本领。
%U http://www.alljournals.cn/get_abstract_url.aspx?pcid=6E709DC38FA1D09A4B578DD0906875B5B44D4D294832BB8E&cid=47EA7CFDDEBB28E0&jid=29DF2CB55EF687E7EFA80DFD4B978260&aid=73C08C1E7C19FC4E07CA54EA95E089E8&yid=0702FE8EC3581E51&vid=42425781F0B1C26E&iid=DF92D298D3FF1E6E&sid=8FC26EAE44BDA92A&eid=BE14F47B38DC36BB&journal_id=1000-3290&journal_name=物理学报&referenced_num=0&reference_num=0